专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种硅片隐裂检测系统-CN201610330430.9有效
  • 朱洪伟;曹伟兵 - 上海柏凌电子科技有限公司
  • 2016-05-18 - 2018-04-06 - H01L21/66
  • 一种硅片隐裂检测系统,包括发送模块,所述发送模块用于获取硅片;气动测试模块,所述气动测试模块接收所述发送模块输送的硅片,并对硅片进行气动测试;振动测试模块,所述振动测试模块接收经气动测试过的硅片,并对硅片进行振动测试;图像测试模块,所述图像测试模块接收经振动测试过的硅片,并对硅片进行图像测试;接收模块,所述接收模块用于接收经图像测试过的硅片。本发明硅片隐裂检测系统能检测并分选这部分被误判成内部有隐裂的硅片,同时具有操作方便、稳定、准确,使用高效率的硅片检测设备。
  • 一种硅片检测系统
  • [实用新型]硅片隐裂检测装置-CN201620454195.1有效
  • 朱洪伟;曹伟兵 - 上海柏凌电子科技有限公司
  • 2016-05-18 - 2016-10-05 - H01L21/66
  • 一种硅片隐裂检测装置,包括:发送模块,所述发送模块用于获取硅片;气动测试模块,所述气动测试模块接收所述发送模块输送的硅片,并对硅片进行气动测试;振动测试模块,所述振动测试模块接收经气动测试过的硅片,并对硅片进行振动测试;图像测试模块,所述图像测试模块接收经振动测试过的硅片,并对硅片进行图像测试;接收模块,所述接收模块用于接收经图像测试过的硅片。本实用新型硅片隐裂检测装置能检测并分选这部分被误判成内部有隐裂的硅片,同时具有操作方便、稳定、准确,使用高效率的硅片检测设备。
  • 硅片检测装置
  • [发明专利]硅片上料检测方法、装置、设备、介质及硅片上料系统-CN202311017702.6在审
  • 路站龙;刘哲;姚奇 - 福建鲲曜科技有限公司
  • 2023-08-14 - 2023-09-12 - H01L21/66
  • 本发明涉及硅片上料技术领域,公开了一种硅片上料检测方法、装置、设备、介质及硅片上料系统,方法包括:将待上料的硅片插入硅片承载架,并控制升降模组带动其下降至传送带进行上料;获取第一硅片的正面图像并进行外观正面检测,获取正面图像信息;获取预设数量的硅片的侧面图像并进行边缘外观检测及位置检测,获取侧面图像信息;根据动态融合算法对第一硅片的正面图像信息及侧面图像信息进行融合检测,并根据检测结果调整下一硅片检测的权重比例本发明能够防止由于出现叠片、斜片或无片状态而导致的碰撞,保证硅片上料的可靠性及安全性,降低硅片或设备受损的可能性,避免损失。
  • 硅片检测方法装置设备介质系统
  • [发明专利]一种基于图像硅片分布状态识别方法及装置-CN201510337910.3有效
  • 徐冬 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2015-06-17 - 2018-08-28 - H01L21/67
  • 一种基于图像硅片分布状态识别方法和装置,该方法通过先将图像传感单元设置在硅片组的上方,俯视拍摄硅片层叠图像,并根据理想放置硅片的中心坐标和实际放置区域中心间的坐标偏差阈值,判断硅片组中硅片放置是否有超出偏差阈值的情况;随后将图像传感单元沿硅片的平行方向,从上至下依次拍摄硅片组中每片硅片的侧边平面图像,判断相应硅片是否存在凸片、斜片、叠片和/或空片的异常状态分布;且在承载器的周围布设多个扫描检测点,进一步地提高了检测精度本发明通过拍摄并采集所有硅片在指定方向上投影的分布情况,能快速准确的获取硅片是否存在异常突出状态的结果,且不受硅片表面温度状态影响。
  • 一种基于图像硅片分布状态识别方法装置
  • [发明专利]一种硅片LD缺陷检测方法及装置-CN201711206191.7有效
  • 李阳;周璐;李铭 - 浙江华睿科技有限公司
  • 2017-11-27 - 2020-06-23 - G06T7/00
  • 本发明公开了一种硅片LD缺陷检测方法及装置,所述方法包括:将硅片图像硅片对应的图像区域划分为至少两个第一子区域,确定每个第一子区域对应的梯度均值;针对每个第一子区域,判断该第一子区域对应的梯度均值是否大于预设的梯度阈值;如果是,确定硅片与该第一子区域对应的位置存在LD缺陷。由于在本发明实施例中,将硅片图像硅片对应的图像区域划分为至少两个第一子区域,根据每个第一子区域对应的梯度均值是否大于预设的梯度阈值,确定硅片与每个第一子区域对应的位置是否存在LD缺陷,无需对硅片图像硅片对应的图像区域进行阈值分割及对比度增强,避免了硅片背景纹理的干扰,提高了硅片LD缺陷的检测精度。
  • 一种硅片ld缺陷检测方法装置
  • [发明专利]一种硅片预对准方法-CN201511021917.0有效
  • 周细文;孙伟旺;田翠侠;郑教增 - 上海微电子装备(集团)股份有限公司;上海微高精密机械工程有限公司
  • 2015-12-30 - 2018-07-20 - G03F9/00
  • 本发明公开了一种硅片预对准方法,包括以下步骤:首先通过定心台、升降台和旋转台对硅片进行定心,使硅片的中心与定心台的中心重合;其次通过图像采集设备对硅片进行图像采集;再次根据图像特征通过划线槽将其由上至下划分为若干个分区;然后对图像进行处理,获取其中满足设定条件的划线槽的中轴线作为广义标记;最后根据该广义标记与指定上片角度的差值,对硅片进行旋转完成定向。本发明根据获取的图像硅片表面的特征,通过划线槽将图像分成若干分区,并通过图像处理,获取其中最水平的划线槽的中轴线作为广义标记,无需在硅片上做额外的标记,该广义标记受外界因素的影响大大降低,稳定性好,提高了识别的准确度和硅片的预对准精度
  • 一种硅片对准方法

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